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文章来源:http://qq-btc.com注册送28元体验金    时间:2017-12-08

  

  Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有用提高电源功率和功率密度

  器材在10V下的最大导通电阻为0.58mΩ,栅极电荷为61nC,选用小尺度PowerPAK®SO-8单片封

  

  宾夕法尼亚、MALVERN— 20171127日前,SFET有用提高电源功率和密度注册送2Vishay Intertechnology, Inc.NYSE 股市代号:VSH)宣告,推出新的25V N沟道TrenchFET®Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP,这颗器材在10V的最大导通电阻为业界最低,仅有0.58mΩVishay SiliconixSiRA20DP具有最低的栅极电荷,导通电阻还不到0.6mΩ,使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数(FOM)也到达最低,Vishay新款25V N沟道功率MO可使各种使用进步功率和功率密度。注册送28元体验金

  今日发布的MOSFET选用6mm x 5mm PowerPAK®SO-8封装,是现在最大导通电阻小于0.6mΩ的两颗25V MOSFET之一。与同类器材比较,SiRA20DP的典型栅极电荷更低,只要61nCFOM0.035Ω*nC,低32%。其他25V N沟道MOSFET的导通电阻则要高11%乃至更多。

  SiRA20DP的低导通电阻可减小传导功率损耗,进步体系功率,完成更高的功率密度,特别合适冗余电源架构中的OR-ring功用。器材的FOM较低,可进步开关功能,如通讯和服务器电源中DC/DC变换,电池体系中的电池切换,以及5V12V输入电源的负载切换。

  这颗MOSFET经过了100%RGUIS测验,契合RoHS,无卤素。

  SiRA20DP现可提供样品,并已完成量产,大宗订购的供货周期为十五周。

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