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Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET注册送28彩金

文章来源:http://qq-btc.com注册送28元体验金    时间:2017-12-07

  

  Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET 宾夕法尼亚、MALVERN— 2017 210日前,Vishay Intertechnology, Inc.NYSE 股市代号:VSH)宣告推出第四代600V E系列功率MOSFET的首颗器材---SiHP065N60EVishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET30%,为通讯、工业和企业级电源供给了高功率的解决方案。这颗器材具有业界最低的优值系数 (FOM 即栅极电荷与导通电阻乘积),E系列功率MOSFET注册送28彩金该参数是600V MOSFET在功率变换使用的要害方针

  我们许诺为客户供给支撑一切功率变换进程的各种MOSFET技能,包含需求高压输入到低压输出的各种最新的电子体系,Vishay商场发展部高档总监David Grey提到,有了SiHP065N60E和行将发布的第四代600V E系列产品,我们就可以在规划电源体系架构的初期就完成进步功率和功率密度的方针,注册送28彩金。包含功率因数校正和随后的高压DC/DC变换器砖式电源。

  SiHP065N60E选用Vishay最新的高能效E系列超级结技能制作,在10V下的最大导通电阻为0.065Ω,栅极电荷低至49nC。器材的FOM2.8Ω*nC,比同类最接近的MOSFET25%SiHP065N60E的有用输出电容Co(er)Co(tr)别离只要93pf593pF,可改进开关功能。Vishay推出最新第4代600V在通讯、工业和企业电源体系的功率因数校正和硬开关DC/DC变换器拓扑中,这些功能参数意味着更低的传导和开关损耗。

  今日发布的器材选用TO-220AB封装,契合RoHS,无卤素,可接受雪崩形式中的过压瞬变,并且确保限值通过了100%UIS测验。

  SiHP065N60E现可供给样品,在20171月完成量产,供货周期为十周。

 

  

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